在片功率参数校准方法研究

doi:10.12060/j.issn.1000-7202.2016.01.03

宇航计测技术

在片功率参数校准方法研究

刘晨¹；孙静¹；梁法国¹；吴爱华¹；张立飞¹

1、中国电子科技集团公司第十三研究所，河北石家庄 050051

出版日期:2016-02-15 发布日期:2016-02-15
作者简介:刘晨（1986-），男，工程师，主要研究方向：无线电、网络参数计量测试。

Research on Calibration Method of On-wafer Power

IU Chen；SUN Jing¹；LIANG Fa-guo¹；WU Ai-hua¹；ZHANG Li-fei¹

1、The 13^thResearch Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Shijiazhuang, Hebei 050051

Online:2016-02-15 Published:2016-02-15

摘要/Abstract

摘要： 针对在片功率参数的校准需求，分析如何通过矢量方法修正由于微波探针和功率计引入的失配误差，并推导相关修正公式。同时对在片功率测量矢量修正中涉及的微波探针S参数提取方法做介绍，并将试验提取的S参数与微波探针的出厂数据比较。最后将在片功率参数测量的矢量修正数据分别与标量修正数据和未修正数据比较，结果表明，在40GHz内，运用矢量修正得到的在片功率参数测量结果准确度较未修正结果提高0.4dB，较标量修正结果提高0.1dB。

关键词: 在片功率测量, 在片S参数, 失配误差, 矢量修正

Abstract: For on-wafer power calibration, using a vector method to correct mismatch error introduced by microwave probe and power meter was proposed, and showed related formula. Then a method of extracting S parameters of a microwave probe was introduced, and compared the result with factory measurement data of the probe. Finally, the power measurement result using vector correction was compared with that of using scalar correction, showing that the at the frequency up to 40GHz, the accuracy of measurement result with vector correction is 0.4dB higher than without correction, and 0.1dB higher than scalar correction.

Key words: On-wafer power measurement , On-wafer , S parameters, Mismatch error, Vector correction

刘晨；孙静；梁法国；吴爱华；张立飞. 在片功率参数校准方法研究[J]. 宇航计测技术, doi: 10.12060/j.issn.1000-7202.2016.01.03.

IU Chen；SUN Jing；LIANG Fa-guo；WU Ai-hua；ZHANG Li-fei. Research on Calibration Method of On-wafer Power[J]. JOURNAL OF ASTRONAUTIC METROLOGY AND MEASUREMENT, doi: 10.12060/j.issn.1000-7202.2016.01.03.

在片功率参数校准方法研究

Research on Calibration Method of On-wafer Power

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